Как показал эксперимент, изменение напряжения по высоковольтной части на 1 вольт, смещает масштаб графика на 0.3%. Но у примененного мною МК, есть дрейф, который обусловлен чисто физическими ограничениями кристала, и алгоритмом стабилизации, который дает дрейф по ВВ части на +-1.5В, тоесть вилка 3 вольта, а это разъезжание масштаба на 0,9%! Из за этого дрейфа, вершины пиков не острые, а плоские.
При вычислении FWHM(разрешения), этот нюанс оказывает решающий эффект, значительно снижающий разрешение.
То-есть физический блок, сам по себе, способен на значительно лучшие результаты. Но если код я слегка могу оптимизировать, то ограничения кристалла МК я никак не обойду.
Ой… СТОП!!!! я применил слово “никак”… ну разве так можно? НЕТ! ОДНОЗНАЧНО не мой метод! Попробуем снова…..
То-есть физический блок, сам по себе, способен на значительно лучшие результаты. Но если код я слегка могу оптимизировать, то ограничения кристалла МК надо обойти методом “внесения в алгоритм многоэтажной формулы”. Где-то в районе мозжечка родилась мысль что я могу методами мат. статистики подогнать требуемое колличество импульсов накачки в секунду, к стабильной величине, тем самым уменьшив дрейф из за окна компаратора в МК, который сравнивает реальное напряжение с заданным.
Поехали! Будем работать в этом направлении!!! А то ну куда нам, 8.5% разрешения…. надо чтоб было 7%!
PS.Кстати, кому интересно, сырец прошивки тут.